
株式会社マーケットリサーチセンターは、「GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場(2026年~2032年)」に関する詳細な調査レポートを発表しました。
GaN-on-Siパワーデバイスって、そもそも何?
GaN-on-Si(シリコン基板上の窒化ガリウム)パワーデバイスは、高性能な窒化ガリウム(GaN)と、製造コストを抑えられるシリコン基板を組み合わせた半導体部品のこと。これによって、従来のシリコンベースのデバイスと比べて、高出力で電力のロスが少なく、しかもコンパクトな設計が可能になるんです。
その代表的なものとして、高速スイッチングが得意なGaN HEMT(高電子移動度トランジスタ)が挙げられます。電力変換や増幅の分野で優れた性能を発揮し、高い効率性が電力損失を大幅に削減してくれます。
市場規模はぐんぐん拡大中!
このGaN-on-Siパワーデバイスの世界市場は、なんと2025年の5億5,900万米ドルから、2032年には28億2,900万米ドルにまで成長すると予測されています。2026年から2032年にかけての年平均成長率(CAGR)は26.6%と、すごい勢いで拡大していくと見込まれていますね。
現状、GaNパワーデバイスの市場規模は、SiCパワーデバイスの約10分の1程度ですが、近年は多くの企業が参入し、急速に成長しています。
市場を牽引する企業たち
現在、GaNパワーデバイス市場をリードしているのは、Innoscience、インフィニオン(GaN Systems)、Power Integrations, Inc.、Navitas Semiconductor、Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、ルネサスエレクトロニクス(Transphorm)といった企業です。特に、Innoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーとして知られています。
どんなところで使われているの?
GaNパワーデバイスは、主に私たちの身近なところで活躍しています。たとえば、携帯電話の急速充電器やアダプターなどの民生用電子機器には欠かせない存在です。さらに、自動車分野では車載充電器(OBC)への導入が進んでおり、今後ますますその用途は広がっていくでしょう。その他にも、産業用、通信・データ通信、防衛・航空宇宙、再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵など、多岐にわたる分野で利用されています。
レポートでわかること
今回の調査レポートでは、GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場規模や市場動向に加え、以下の詳細な分析が提供されています。
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タイプ別セグメンテーション: GaNパワートランジスタ、GaN統合パワーステージ
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用途別セグメンテーション: 民生用電子機器、産業用、通信・データ通信、自動車用電子機器、防衛・航空宇宙、再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵、その他
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地域別分類: 南北アメリカ(米国、カナダ、メキシコ、ブラジル)、アジア太平洋地域(中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア)、欧州(ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシア)、中東・アフリカ(エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国)
また、Innoscience、インフィニオン(GaN Systems)、Navitas(GeneSiC)など、主要な専門家からの情報と各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定された企業情報も盛り込まれています。
これからのGaN-on-Siパワーデバイス
GaN-on-Siパワーデバイスは、これからも低コスト化や性能向上が期待されています。製造プロセスの改善や新しい材料の導入によって、さらに高効率で高出力なデバイスが開発されることでしょう。エネルギー効率がますます重要になる現代社会において、この技術はきっと、ますます存在感を増していくはずです。
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